Hynix成功研发世界最高性能移动DRAM

　　韩联社4月27日电称，Hynix（海力士）半导体成功研发采用54纳米技术的世界最高性能的1Gb移动低电双倍速率(LPDDR2)动态随机存储器(DRAM)产品。Hynix表示，该产品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低电压下实现1066Mbps超高速数据传输速度的移动DRAM，在工艺技术、电压、速度方面具备世界最高性能。

　　据介绍，该产品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低电压下工作，接近于现有的1.8伏移动DRAM的50%，并且仅为PC DDR2产品的30%。这意味着，1秒内下载5、6部普通长度的电影成为可能，堪称世界最高水平的数据传输速度。

　　韩联社表示，该产品待机耗电量低，又具有很高的速度，适合超移动电脑(UMPC)、便携式媒体播放器(PMP)、手机等移动互联网设备、上网笔记本电脑、高性能智能手机等，还可提供符合相关产品的”单芯片解决方案”功能。

　　Hynix计划今年第三季度开始生产新产品，明年初推出40纳米级LPDDR2产品，并在明年将其在移动LPDDR2市场的份额扩大30%以上。

　　目前Hynix半导体是世界第二大DRAM制造商。